| 【赛迪网讯】6月13日消息，英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔披露称，它正在使用两种全新的材料制作45纳米晶体管的绝缘层和开关栅。
据chinapost.com.tw网站报道，英特尔下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多内核处理器将使用数亿个这种微型晶体管。英特尔称，它有5个早期版本的产品正在运行。这是英特尔计划生产的15个45纳米处理器中的第一个。
这种晶体管能够让英特尔继续提供创纪录的台式电脑、笔记本电脑和服务器处理器的速度，同时减少晶体管的漏电量。晶体管漏电影响到芯片和PC设计、尺寸、耗电量、噪声和成本。这个技术还将保证摩尔定律在下一个10年仍然发挥作用。
英特尔认为，通过推出可以工作的代号为“Penryn”的45纳米处理器，英特尔已经把它领先于 半导体行业其它竞争对手的优势扩大到了一年以上。
英特尔是第一个在45纳米技术中采用创新方法把新材料结合在一起的公司。这些新材料将显著减少晶体管的漏电量和提高性能。英特尔将使用一种属性称作“high-k”的新材料制作晶体管栅绝缘体，用一种新的金属材料组合制作晶体管栅电极。
英特尔共同创始人Gordon Moore说，采用“high-k”和金属材料标志着自从60年代末推出多晶硅栅MOS晶体管以来晶体管技术的一个最大的变化。
英特尔高级研究员Mark Bohr说，在45纳米工艺技术中采用“high-k”和金属栅晶体管将使英特尔能够提供速度更快、更节能多内核产品，把摩尔定律延续到下一个10年。 |
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